El anuncio destaca cómo TSMC continúa enmarcando el progreso tecnológico no solo en términos de mejoras incrementales, sino también en su capacidad para ofrecer avances en la fabricación mucho antes del lanzamiento comercial. Con los resultados de las pruebas ya reportados antes de los plazos internos, el proceso A14 marca otro punto de inflexión para la industria al impulsar el diseño de semiconductores para superar los cuellos de botella técnicos actuales.
TSMC ha publicado nuevos detalles técnicos sobre su proceso de semiconductores A14, informando sobre las mejoras de rendimiento y eficiencia que se espera que superen a las de su plataforma de 2 nanómetros. La compañía afirmó que el desarrollo del nodo está adelantado en lo previsto, lo que indica un progreso continuo incluso cuando gran parte de la industria tiene dificultades para implementar las tecnologías de la generación actual.
Según las revelaciones de la compañía, reveladas por el analista Ray Wang, se proyecta que el proceso A14 ofrezca un aumento de rendimiento de hasta un 15 % a niveles de potencia equivalentes en comparación con N2. Al medirse a velocidades comparables, se espera que el nodo reduzca el consumo de energía hasta en un 30 %. Estas mejoras provendrán de la introducción de los transistores nanosheet de segunda generación con puerta alrededor de TSMC, así como de un nuevo estándar de diseño llamado NanoFlex Pro. La arquitectura actualizada está diseñada para brindar mayor flexibilidad a la hora de equilibrar la potencia, el rendimiento y la densidad en diferentes aplicaciones de diseño.
En términos de densidad, TSMC espera un aumento de hasta un 20 % con respecto al N2. Esta cifra es crucial, ya que los fabricantes trabajan para integrar más transistores en la misma superficie de silicio, un factor clave del escalamiento según la Ley de Moore.
Fuente: Tech Spot | Skye Jacobs
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